Bipolartransistor KTC2874-B

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2874-B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 25 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 350 bis 1200
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KTC2874-B

Der KTC2874-B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC2874-B kann eine Gleichstromverstärkung von 350 bis 1200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC2874 liegt im Bereich von 200 bis 1200, die des KTC2874-A im Bereich von 200 bis 700.

SMD-Version des Transistors KTC2874-B

Der 2SC3326 (SOT-23), 2SC3326-B (SOT-23), KTC2875 (SOT-23) und KTC2875-B (SOT-23) ist die SMD-Version des KTC2874-B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC2874-B

Sie können den Transistor KTC2874-B durch einen 2N3394 ersetzen.
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