Bipolartransistor KTC2875-B

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2875-B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 25 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 350 bis 1200
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des KTC2875-B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC2875-B kann eine Gleichstromverstärkung von 350 bis 1200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC2875 liegt im Bereich von 200 bis 1200, die des KTC2875-A im Bereich von 200 bis 700.

Kennzeichnung

Der KTC2875-B-Transistor ist als "MB" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC2875-B

Sie können den Transistor KTC2875-B durch einen 2SC3326, 2SC3326-B oder FMMT618 ersetzen.
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