Bipolartransistor KTC2020L-GR

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2020L-GR

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-251

Pinbelegung des KTC2020L-GR

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC2020L-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC2020L liegt im Bereich von 100 bis 300, die des KTC2020L-Y im Bereich von 100 bis 200.

SMD-Version des Transistors KTC2020L-GR

Der BDP949 (SOT-223) und FZT692B (SOT-223) ist die SMD-Version des KTC2020L-GR-Transistors.
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