Bipolartransistor KTC2020L

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2020L

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-251

Pinbelegung des KTC2020L

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC2020L kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC2020L-GR liegt im Bereich von 150 bis 300, die des KTC2020L-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC2020L ist der KTA1040L.

SMD-Version des Transistors KTC2020L

Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTC2020L-Transistors.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com