Bipolartransistor KTB1369Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB1369Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des KTB1369Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTB1369Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB1369 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des KTB1369O im Bereich von 70 bis 140.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB1369Y ist der KTD2061Y.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB1369Y

Sie können den Transistor KTB1369Y durch einen 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1930, 2SB940A, 2SB940A-P, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 oder MJE5851G ersetzen.
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