Elektrische Eigenschaften des Transistors KTA1283GR
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 300
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KTA1283GR
Der KTA1283GR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTA1283GR kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTA1283 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des KTA1283O im Bereich von 85 bis 160, die des KTA1283Y im Bereich von 120 bis 200.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum KTA1283GR ist der KTC3211GR.
SMD-Version des Transistors KTA1283GR
Der MMBT3702 (SOT-23), MPS8550S (SOT-23) und MPS8550S-D (SOT-23) ist die SMD-Version des KTA1283GR-Transistors.