Bipolartransistor KSC5030F-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5030F-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 30
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des KSC5030F-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC5030F-O kann eine Gleichstromverstärkung von 15 bis 30 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5030F liegt im Bereich von 10 bis 40, die des KSC5030F-R im Bereich von 10 bis 20, die des KSC5030F-Y im Bereich von 20 bis 40.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5030F-O

Sie können den Transistor KSC5030F-O durch einen 2SC3894, 2SC3895, 2SC3896, 2SC3897, 2SC4428, 2SC4428-M, 2SC4429, 2SC4429-M, 2SC4430, 2SC4430-M, 2SC5251 oder 2SC5252 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com