Bipolartransistor KSC5030F

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5030F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des KSC5030F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC5030F kann eine Gleichstromverstärkung von 10 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5030F-O liegt im Bereich von 15 bis 30, die des KSC5030F-R im Bereich von 10 bis 20, die des KSC5030F-Y im Bereich von 20 bis 40.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5030F

Sie können den Transistor KSC5030F durch einen 2SC3894, 2SC3895, 2SC3896, 2SC3897, 2SC4428, 2SC4429 oder 2SC4430 ersetzen.
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