Bipolartransistor KSC5020-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5020-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 500 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 800 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 18 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KSC5020-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC5020-O kann eine Gleichstromverstärkung von 20 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5020 liegt im Bereich von 15 bis 50, die des KSC5020-R im Bereich von 15 bis 30, die des KSC5020-Y im Bereich von 30 bis 50.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5020-O

Sie können den Transistor KSC5020-O durch einen 2SC3150, 2SC3150-M, 2SC3446, 2SC3446-M, 2SC3447, 2SC3447-M, 2SC3457, 2SC3457-N, 2SC3749, 2SC3749-M, 2SC3750, 2SC3750-M, 2SC3752, 2SC3752-M, 2SC3795, 2SC3795A, 2SC3866, 2SC5249, 2SC5353, FJPF5027, FJPF5027-O, KSC5021, KSC5021-O, KSC5021F, KSC5021F-O, KSC5027, KSC5027-O, KSC5027F, KSC5027F-O, MJE8502 oder MJE8503 ersetzen.
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