Bipolartransistor KSC5027F-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5027F-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des KSC5027F-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC5027F-O kann eine Gleichstromverstärkung von 20 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5027F liegt im Bereich von 10 bis 40, die des KSC5027F-N im Bereich von 10 bis 20, die des KSC5027F-R im Bereich von 15 bis 30.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5027F-O

Sie können den Transistor KSC5027F-O durch einen 2SC3150, 2SC3150-M, 2SC3457, 2SC3457-N, 2SC3752, 2SC3752-M, 2SC3866, 2SC5353, FJPF5027, FJPF5027-O, KSC5027, KSC5027-O oder MJE8503 ersetzen.
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