Bipolartransistor KSC5019-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5019-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSC5019-P

Der KSC5019-P wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC5019-P kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5019 liegt im Bereich von 140 bis 600, die des KSC5019-L im Bereich von 140 bis 240, die des KSC5019-M im Bereich von 200 bis 330, die des KSC5019-N im Bereich von 300 bis 450.

SMD-Version des Transistors KSC5019-P

Der 2STR1230 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC5019-P-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5019-P

Sie können den Transistor KSC5019-P durch einen 2SC2500, 2SC2500-A, 2SC2500-B, 2SC2500-C, 2SC2500-D, KSC2500, KSC2500-A, KSC2500-B, KSC2500-C oder KSC2500-D ersetzen.
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