Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5019-M
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 330
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC5019-M
Der KSC5019-M wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC5019-M kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 330 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5019 liegt im Bereich von 140 bis 600, die des KSC5019-L im Bereich von 140 bis 240, die des KSC5019-N im Bereich von 300 bis 450, die des KSC5019-P im Bereich von 420 bis 600.
SMD-Version des Transistors KSC5019-M
Der 2STR1230 (SOT-23), KTC4375 (SOT-89) und KTC4375Y (SOT-89) ist die SMD-Version des KSC5019-M-Transistors.
