Bipolartransistor KSA916Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA916Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSA916Y

Der KSA916Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA916Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA916 liegt im Bereich von 80 bis 240, die des KSA916O im Bereich von 80 bis 160.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA916Y ist der KSC2316Y.

SMD-Version des Transistors KSA916Y

Der 2SA1201 (SOT-89), 2SA1201-Y (SOT-89), 2SB806 (SOT-89), 2SD1007 (SOT-89), KTA1661 (SOT-89) und KTA1661Y (SOT-89) ist die SMD-Version des KSA916Y-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA916Y

Sie können den Transistor KSA916Y durch einen 2SA1275, 2SA965, 2SA965-Y, KSA1013, KTA1023, KTA1023-O, KTA1023-Y oder KTA1275 ersetzen.
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