Bipolartransistor KSA916

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA916

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSA916

Der KSA916 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA916 kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA916O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des KSA916Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA916 ist der KSC2310.

SMD-Version des Transistors KSA916

Der 2SA1201 (SOT-89) und KTA1661 (SOT-89) ist die SMD-Version des KSA916-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA916

Sie können den Transistor KSA916 durch einen 2SA1275, 2SA965, KSA1013, KTA1023, KTA1023-O, KTA1023-Y oder KTA1275 ersetzen.
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