Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA642CG
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.3 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSA642CG
Der KSA642CG wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSA642G. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSA642CG kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA642C liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KSA642CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSA642CY im Bereich von 120 bis 240.