Bipolartransistor KSA1156R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA1156R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SA1156M transistor

Pinbelegung des KSA1156R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA1156R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA1156 liegt im Bereich von 30 bis 200, die des KSA1156N im Bereich von 30 bis 60, die des KSA1156O im Bereich von 60 bis 120, die des KSA1156Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA1156R ist der KSC2752Y.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA1156R

Sie können den Transistor KSA1156R durch einen 2SA1156 oder 2SA1156M ersetzen.
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