Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1156M
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -400 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -400 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SA1156M
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1156M kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1156 liegt im Bereich von 30 bis 200, die des 2SA1156K im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1156L im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1156N im Bereich von 30 bis 60.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1156M-Transistor könnte nur mit "A1156M" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1156M ist der 2SC2752K.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1156M
Sie können den Transistor 2SA1156M durch einen KSA1156 oder KSA1156R ersetzen.
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