Bipolartransistor 2SA1156M

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1156M

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA1156M

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1156M kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1156 liegt im Bereich von 30 bis 200, die des 2SA1156K im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1156L im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1156N im Bereich von 30 bis 60.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1156M-Transistor könnte nur mit "A1156M" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1156M ist der 2SC2752K.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1156M

Sie können den Transistor 2SA1156M durch einen KSA1156 oder KSA1156R ersetzen.
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