Bipolartransistor BDT32

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT32

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 50
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT32

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT32 ist der BDT31.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT32

Sie können den Transistor BDT32 durch einen BDT32A, BDT32B, D44C10, D44C4, D44C7, D45C10, D45C4, D45C7, TIP32, TIP32A, TIP32AG, TIP32B, TIP32BG oder TIP32G ersetzen.
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