Bipolartransistor BDT32A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT32A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 50
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT32A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT32A ist der BDT31A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT32A

Sie können den Transistor BDT32A durch einen BDT32B, BDT32C, D44C10, D44C7, D45C10, D45C7, MJF32C, MJF32CG, TIP32A, TIP32AG, TIP32B, TIP32BG, TIP32C, TIP32CF, TIP32CG, TIP32D oder TIP32E ersetzen.
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