Bipolartransistor BDT29AF

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT29AF

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 19 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT29A transistor

Pinbelegung des BDT29AF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT29AF ist der BDT30AF.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT29AF

Sie können den Transistor BDT29AF durch einen 2N6473, 2N6474, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, BD707, BD709, BD711, BD907, BD909, BD911, BDT29BF, BDT29CF, BDT41A, BDT41AF, BDT41B, BDT41BF, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, TIP29A, TIP29AG, TIP29B, TIP29BG, TIP29C, TIP29CG, TIP41A, TIP41AG, TIP41B, TIP41BG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D oder TIP42D ersetzen.
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