Bipolartransistor BDT29CF

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT29CF

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 19 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT29C transistor

Pinbelegung des BDT29CF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT29CF ist der BDT30CF.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT29CF

Sie können den Transistor BDT29CF durch einen 2N6473, 2N6474, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD711, BD911, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, MJE5181, MJE5182, NTE291, TIP29C, TIP29CG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com