Bipolartransistor BD433G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD433G

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 22 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 22 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 36 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 130
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD433G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD433G

Sie können den Transistor BD433G durch einen 2N4921, 2N4921G, BD185, BD433, BD435, BD435G, MJE220, MJE221 oder MJE222 ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:

TO-126 package, BD433: 36 watts
TO-126 package, BD436: 36 watts
TO-126 package, BD436G: 36 watts
TO-126 package, BD439: 36 watts
TO-126 package, BD442: 36 watts

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