Bipolartransistor BD433

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD433

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 22 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 22 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 36 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 130
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD433

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD433 ist der BD434.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD433

Sie können den Transistor BD433 durch einen 2N4921, 2N4921G, BD185, BD433G, BD435, BD435G, MJE220, MJE221 oder MJE222 ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-126 package, BD433G: 36 watts
  • TO-126 package, BD436: 36 watts
  • TO-126 package, BD436G: 36 watts
  • TO-126 package, BD439: 36 watts
  • TO-126 package, BD442: 36 watts
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