Bipolartransistor BCW70LT1G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW70LT1G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 215 bis 500
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Rauschzahl, max: 10 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Der BCW70LT1G ist die bleifreie Version des BCW70LT1-Transistors

Pinbelegung des BCW70LT1G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCW70LT1G ist der BCW72LT1G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW70LT1G

Sie können den Transistor BCW70LT1G durch einen 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, 2STR2160, BC807, BC856, BC857, BC860, BCW68, BCW70, BCW70LT1, BCX17, FMMTA55, FMMTA56, KSA812, KST55, KST56, MMBT4354, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.
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