Bipolartransistor BCW69LT1G
Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW69LT1G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
- Verlustleistung, max: 0.3 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 260
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Rauschzahl, max: 10 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- Der BCW69LT1G ist die bleifreie Version des BCW69LT1-Transistors
Pinbelegung des BCW69LT1G
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW69LT1G
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