Bipolartransistor BC859B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC859B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC859B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC859B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC859 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC859A im Bereich von 110 bis 220, die des BC859C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC859B ist der BC849B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC859B

Sie können den Transistor BC859B durch einen 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, 2SB709A, 2SB709A-Q, 2SB709A-R, 2SB709A-S, 2STR2160, 2STR2230, BC807, BC857, BC857B, BC858, BC858B, BC860, BC860B, BCW67, BCW68, BCW72, BCW72LT1, BCW72LT1G, BCX17, FMMT549A, FMMTA55, KSA812, KST55, MMBT200, MMBT4354, MMBTA55 oder SMBTA55 ersetzen.
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