Bipolartransistor BC817-25W
Elektrische Eigenschaften des Transistors BC817-25W
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-323
- Electrically Similar to the Popular BC337-25 transistor
Pinbelegung des BC817-25W
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
Transistor BC817-25W im TO-92-Gehäuse
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