Bipolartransistor BC414

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC414

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC414

Der BC414 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC414 kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC414B liegt im Bereich von 180 bis 460, die des BC414C im Bereich von 380 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC414 ist der BC416.

SMD-Version des Transistors BC414

Der BC847 (SOT-23), BC847W (SOT-323), BC850 (SOT-23) und BC850W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC414-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC414

Sie können den Transistor BC414 durch einen BC237, BC546, BC547 oder BC550 ersetzen.
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