Bipolartransistor BC259B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC259B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC259B

Der BC259B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC259B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC259 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC259A im Bereich von 110 bis 220, die des BC259C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC259B ist der BC169B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC259B

Sie können den Transistor BC259B durch einen 2N4059, 2N4062, 2N4953, 2N4954, 2SA1031, 2SA1282A, 2SA1300, 2SA608, 2SA628, 2SB598, 2SB698, BC258, BC258B, MPS3638, MPS3638A, PN3638 oder PN3638A ersetzen.
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