Bipolartransistor BC107B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC107B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des BC107B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC107B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC107 liegt im Bereich von 110 bis 450, die des BC107A im Bereich von 110 bis 220.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC107B ist der BC177B.

SMD-Version des Transistors BC107B

Der 2SC1623 (SOT-23), 2SD601A (SOT-23), BC847 (SOT-23), BC847B (SOT-23), BC847BW (SOT-323), BC847W (SOT-323), BC850 (SOT-23), BC850B (SOT-23), BC850BW (SOT-323), BC850W (SOT-323), KSC1623 (SOT-23) und MMBT5210 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC107B-Transistors.
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