Bipolartransistor MMBT5210

Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT5210

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Pinbelegung des MMBT5210

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MMBT5210-Transistor ist als "3M" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT5210

Sie können den Transistor MMBT5210 durch einen 2SC1623, 2SC2712, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, 2SC4738, BC846, FMMT619, FMMT620, FMMTA05, FMMTA06, KSC1623, KST05, KST06, KTC3875, KTC3875S, MMBTA05, MMBTA06, PMBTA06, SMBTA05 oder SMBTA06 ersetzen.
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