Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD668-D
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
Verlustleistung, max: 0.9 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SD668-D
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD668-D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD668 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD668-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD668-C im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD668-D-Transistor könnte nur mit "D668-D" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD668-D ist der 2SB648-D.
