Bipolartransistor 2SC2326

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
• Verlustleistung, max: 0.4 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 960
• Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SC2326 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SC2326 kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 960 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2326F liegt im Bereich von 160 bis 320, die des 2SC2326G im Bereich von 280 bis 560, die des 2SC2326H im Bereich von 480 bis 960.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2326-Transistor könnte nur mit "C2326" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2326 ist der 2SA1016.Der 2SC1622A (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC2326-Transistors.Sie können den Transistor 2SC2326 durch einen 2SC2326K ersetzen.