Bipolartransistor 2SD552-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD552-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 220 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SD552-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD552-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD552 liegt im Bereich von 25 bis 80, die des 2SD552-DN im Bereich von 25 bis 50.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD552-R-Transistor könnte nur mit "D552-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD552-R ist der 2SB552-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD552-R

Sie können den Transistor 2SD552-R durch einen 2N6676, 2N6677, 2SD424, 2SD424-R oder 2SD753 ersetzen.
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