Bipolartransistor 2SD261G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SD261G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD261G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD261 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des 2SD261O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD261R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SD261Y im Bereich von 120 bis 240.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD261G-Transistor könnte nur mit "D261G" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD261G ist der 2SA643G.Der 2SC3326 (SOT-23), 2SC3326-A (SOT-23), KTC2875 (SOT-23) und KTC2875-A (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SD261G-Transistors.Der KSD261G ist die TO-92-Version des 2SD261G.Sie können den Transistor 2SD261G durch einen 2N5172, 2SD471A, 2SD471AG, KSD261, KSD261G, KSD471A, KSD471AG, MPS3415, MPS3706, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG oder MPSW01G ersetzen.