Bipolartransistor KSD261

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD261

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD261 transistor

Pinbelegung des KSD261

Der KSD261 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSD261C (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSD261.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD261 kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD261G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSD261Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD261 ist der KSA643.

Transistor KSD261 im TO-92-Gehäuse

Der 2SD261 ist die TO-92-Version des KSD261.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD261

Sie können den Transistor KSD261 durch einen 2N5172, 2SD261, 2SD471A, KSD471A, MPS3706, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG oder MPSW01G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com