Bipolartransistor 2SD2387-B
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2387-B
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 80 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 9000 bis 18000
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SD2387-B
Klassifizierung von hFE
Equivalent circuit
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD2387-B
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