Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2375-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 800 bis 1500
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD2375-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD2375-P kann eine Gleichstromverstärkung von 800 bis 1500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2375 liegt im Bereich von 500 bis 1500, die des 2SD2375-Q im Bereich von 500 bis 1000.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2375-P-Transistor könnte nur mit "D2375-P" gekennzeichnet sein.