Bipolartransistor 2SD1273

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1273

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 500 bis 2500
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1273

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1273 kann eine Gleichstromverstärkung von 500 bis 2500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1273O liegt im Bereich von 1200 bis 2500, die des 2SD1273P im Bereich von 800 bis 1500, die des 2SD1273Q im Bereich von 500 bis 1000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1273-Transistor könnte nur mit "D1273" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1273 ist der 2SB1299.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1273

Sie können den Transistor 2SD1273 durch einen 2N6531, 2N6533, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC2315, 2SC2316, 2SC3179, 2SC3852, 2SC3852A, 2SD1273A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX53D, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, KSD1273, MJE15028, MJE15028G, TIP41D oder TIP42D ersetzen.
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