Bipolartransistor 2SD1725-R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1725-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1725 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SD1725-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD1725-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SD1725-R im Bereich von 200 bis 400.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1725-R-Transistor könnte nur mit "D1725-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1725-R ist der 2SB1168-R.Der BDP953 (SOT-223) und BDP955 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1725-R-Transistors.Sie können den Transistor 2SD1725-R durch einen BD791 oder MJE244 ersetzen.