Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1725-Q
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SD1725-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1725-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1725 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SD1725-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1725-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SD1725-R im Bereich von 200 bis 400.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1725-Q-Transistor könnte nur mit "D1725-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1725-Q ist der 2SB1168-Q.
SMD-Version des Transistors 2SD1725-Q
Der BDP953 (SOT-223) und BDP955 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1725-Q-Transistors.
