Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1712-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
Verlustleistung, max: 60 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3PF
Pinbelegung des 2SD1712-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1712-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1712 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SD1712-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1712-S im Bereich von 80 bis 160.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1712-P-Transistor könnte nur mit "D1712-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1712-P ist der 2SB1157-P.
SMD-Version des Transistors 2SD1712-P
Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1712-P-Transistors.
