Bipolartransistor 2SD1707

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 20 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 90 bis 260
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1707 kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1707-P liegt im Bereich von 130 bis 260, die des 2SD1707-Q im Bereich von 90 bis 180.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1707-Transistor könnte nur mit "D1707" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1707 ist der 2SB1156.