Bipolartransistor 2SB1156

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -20 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 90 bis 260
• Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1156 kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1156-P liegt im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB1156-Q im Bereich von 90 bis 180.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1156-Transistor könnte nur mit "B1156" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1156 ist der 2SD1707.