Bipolartransistor 2SD1706-Q

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 90 bis 180
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1706-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1706 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD1706-P im Bereich von 130 bis 260, die des 2SD1706-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1706-Q-Transistor könnte nur mit "D1706-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1706-Q ist der 2SB1155-Q.Sie können den Transistor 2SD1706-Q durch einen 2SD1707 oder 2SD1707-Q ersetzen.