Bipolartransistor 2SD1272-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1272-Q

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 500 bis 1200
  • Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1272-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1272-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 500 bis 1200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1272 liegt im Bereich von 500 bis 2000, die des 2SD1272-P im Bereich von 800 bis 2000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1272-Q-Transistor könnte nur mit "D1272-Q" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1272-Q

Sie können den Transistor 2SD1272-Q durch einen 2SC4381, 2SC4382, 2SD402, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, BDX53F, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE5740, MJF15030, MJF15030G, TIP150, TIP41F oder TIP42F ersetzen.
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