Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1272-Q
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 500 bis 1200
Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1272-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1272-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 500 bis 1200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1272 liegt im Bereich von 500 bis 2000, die des 2SD1272-P im Bereich von 800 bis 2000.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1272-Q-Transistor könnte nur mit "D1272-Q" gekennzeichnet sein.
