Bipolartransistor 2SD1272-P

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 800 bis 2000
• Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1272-P kann eine Gleichstromverstärkung von 800 bis 2000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1272 liegt im Bereich von 500 bis 2000, die des 2SD1272-Q im Bereich von 500 bis 1200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1272-P-Transistor könnte nur mit "D1272-P" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SD1272-P durch einen 2SC4381, 2SC4382, 2SD402, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, BDX53F, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE5740, MJF15030, MJF15030G, TIP150, TIP41F oder TIP42F ersetzen.