Bipolartransistor 2SD1263-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1263-Q

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 350 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.75 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1263-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1263-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1263 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SD1263-P im Bereich von 120 bis 250, die des 2SD1263-R im Bereich von 40 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1263-Q-Transistor könnte nur mit "D1263-Q" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1263-Q

Sie können den Transistor 2SD1263-Q durch einen 2SC2336B, 2SC2898, 2SC3310, 2SC3794, 2SC3794A, 2SC3795, 2SC3795A, 2SC3868, 2SC4242, 2SC5241, 2SD1263A, 2SD1263A-Q, 2SD772B, 2SD792B, BUX84, BUX85, FJP5200, FJPF5200, MJE13070, MJE13071, MJE15032, MJE15032G, MJE16002, MJE16004, MJF47, MJF47G, NTE198, TIP47, TIP47G, TIP48, TIP48G, TIP49, TIP49G, TIP50 oder TIP50G ersetzen.
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