Bipolartransistor MJF47G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJF47G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 350 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 28.4 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular TIP47G transistor
- Der MJF47G ist die bleifreie Version des MJF47-Transistors
Pinbelegung des MJF47G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJF47G
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