Bipolartransistor 2SD1256-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1256-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 260
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SD1256-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1256-P kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1256 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD1256-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SD1256-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1256-P-Transistor könnte nur mit "D1256-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1256-P ist der 2SB933-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1256-P

Sie können den Transistor 2SD1256-P durch einen 2SD1257, 2SD1257-P, 2SD1257A oder 2SD1257A-P ersetzen.
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